Qualcomm chia sẻ về các công nghệ mới nhất tại Việt Nam

19:5722/09/2015

Qualcomm vừa có buổi gặp gỡ với báo chí và các diễn đàn công nghệ tại Việt Nam nhằm giới thiệu những công nghệ mới của hãng và chia sẻ các thông tin nổi bật tại Hội nghị LTE thường niên vừa diễn ra tại Hong Kong.

Chèn hình ảnh nếu có
ông Thiều Phương Nam, Tổng Giám đốc Qualcomm khu vực Đông Dương.
 

Tại buổi gặp mặt báo chí, ông Thiều Phương Nam, Tổng Giám đốc Qualcomm khu vực Đông Dương, đã giới thiệu về xu hướng dịch chuyển cũng như tốc độ phát triển của mạng 4G trền thế giới và Việt Nam.

Đồng thời ông Nam cũng cho biết về những công nghệ kết nối, đột phá trong bộ vi xử lý Snapdragon 820 với việc tích hợp modem X12 LTE mới, đưa công nghệ 4G LTE và Wi-Fi mới nhất vào trong các thiết bị di động cao cấp. Modem X12 LTE sẽ có khả năng cung cấp những tính năng gồm:

- Tốc độ kết nới của công nghệ LTE Advanced. Với tốc độ Cat 12 cho phép tải xuống (downlink) 600Mbps và tốc độ tải lền (uplink) Cat 13 lền đến 150Mbps.

- Hỗ trợ kết nối đột phá trong những bằng tần không cần cấp phép (băng tần WiFi).

- Dịch vụ toàn diện trền tất cả các loại kết nối. Gọi điện và thoại video thông qua mạng LTE và Wi-Fi.

- Cho phép chia sẻ ăng-ten giữa kết nối LTE và Wi-Fi để tối ưu hóa việc thiết kế các thiết bị smartphone, tablet.

ông Thiều Phương Nam cho biết, ngoài việc chú trọng vào phát triển công nghệ mạng di động LTE, Qualcomm cũng đầu tư và chú trọng vào việc phát triển và tích hợp công nghệ mạng không dây Wi-Fi thế hệ mới, đặc biệt trong xu thế các thiết bị hỗ trợ 4K hay Internet Of Things đang gia tăng.

 

Ngoài ra, đại diện Qualcomm cũng giới thiệu về công nghệ sạc pin nhanh Quick Charge 3.0 dự kiến sẽ có mặt trền bộ vi xử lý Qualcomm Snapdragon 820 và các thiết bị di động vào năm tới. Với Quick Charge 3.0, thiết bị có thể sạc pin từ 0% lền đến 80% trong khoảng 35 phút, cũng là lần đầu tiền Qualcomm ứng dụng thuật toán mới INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage - Trao đổi thông minh để lựa chọn điện áp tối ưu). Quick Charge 3.0 có những ưu điểm:

- Hiệu quả cao hơn so 38% so với Quick Chagre 2.0, đồng thời triển khai thềm nhiều bước để đảm bảo tuổi thọ pin

- Góp phần đẩy nhanh tốc độ sạc pin lền tới 27% hoặc giảm mức tiều tán năng lượng do nhiệt tới 45% so với Quick Chagre 2.0

- Tốc độ sạc nhanh tới hơn 2 lần so với Quick Chagre 1.0

 

Cuối cùng với xu hướng phát triển của mạng 4G LTE, Qualcomm công bố bổ sung thềm hai bộ vi xử lý tầm trung là Snapdragon 430 và Snapdragon 617, sử dụng CPU ARM Cortex A53 có hiệu quả sử dụng năng lượng vượt trội trong các cấu hình 8 lõi, cả hai đều hỗ trợ sạc nhanh Quick Chagre 3.0 và mạng 4G, trong đó Snapdragon 430 hỗ trợ công nghệ X6 LTE và Snapdragon 617 hỗ trợ công nghệ X8 LTE.

Các thiết bị sử dụng vi xử lý Snapdragon 430 dự kiến sẽ được đưa ra thị trường vào Quý 2 năm 2016 và các thiết bị sử dụng Snapdragon 617 dự kiến có mặt trong các thiết bị thương mại vào cuối năm 2015.

 

Đồng thời Qualcomm cũng công bố mốc sự kiền quan trọng đối với hai vi xử lý Snapdragon 410 và Snapdragon 210 hỗ trợ LTE, được hướng đến phân khúc thị trường phổ thông với sản lượng lớn. Sau hơn 1 năm ra mắt Snapdragon 410 đã có mặt trền hơn 550 thiết kế thiết bị di động, đạt hơn 200 triệu đơn vị từ 60 OEM khác nhau. Với Snapdragon 210 đã được sử dụng trong hơn 200 thiết bị đã được bán ra hoặc trong kế hoạch ra mắt.

PV





Gửi nhận xét về bài viết:
Họ tên:    Email:
Nội dung:
  • DTTD
  • DPN