Samsung lên kết hoạt sản xuất chip theo công nghệ MBCFET 3nm

10:0028/05/2018

(ĐTTD) Hãng Samsung đã tiết lộ họ đang nghiên cứu sản xuất chip với công nghệ MBCFET 3nm và dự kiến sẽ được sản xuất hàng loạt sớm nhất năm 2022.

Tại sự kiện Samsung Foundry Forum 2018 diễn ra vào cuối tuần qua,  Samsung đã giới thiệu các công nghệ sản xuất chip mới nhất của mình bao gồm công nghệ sản xuất chip 7nm Low Power Plus (LPP), 5nm Low Power Early (LPE) và 3nm Gate-All-Around Early / Plus. Trong đó, công nghệ sản xuất chip 7nm LPP sử dụng giải pháp in thạch bản EUV sẽ chính thức được Samsung đưa vào sản xuất hàng loạt vào nửa cuối năm nay. Còn với công nghệ 5nm LPE dự kiến sẽ được đưa vào sản xuất hàng loạt vào nửa đầu năm 2019 và công nghệ sản xuất chip MBCFET 3nm sớm nhất là vào năm 2022.

SoC Snapdragon 855 sẽ là chip xử lý đầu tiên được sản xuất trên công nghệ vi mạch 7nm LPP và dự kiến sẽ được trang bị cho dòng smartphone Samsung Galaxy S10 ra mắt vào năm tới.


Các dòng chip xử lý được sản xuất trên công nghệ 5nm LPE không chỉ có mức tiêu thụ điện năng thấp mà còn có hiệu năng hoạt động vượt trội. Tiếp sau đó, công nghệ 4nm LPE và LPP cũng sẽ được Samsung ứng dụng vào sản xuất chip và đây cũng sẽ qui trình cuối cùng sử dụng FinFET.

Đáng chú ý nhất trong trong kế hoạch công bố lần này của Samsung chính là công nghệ sản xuất bóng bán dẫn 3nm Gate All Around Early/Plus. Hãng sẽ sử dụng kiến ​​trúc GAA (Gate all-around) thế hệ kế tiếp của MBCFET (FET nhiều kênh cầu) để giúp cho thu nhỏ các chip xử lý hơn nữa mà công nghệ FinFET không làm được.

Ngoài ra, Samsung cũng công bố dòng chip xử lý đầu tiên được sản xuất trên công nghệ vi mạch 7nm LPP chính là SoC Snapdragon 855 dự kiến sẽ được trang bị cho dòng smartphone Samsung Galaxy S10 ra mắt vào năm tới.

Nhật My





Gửi nhận xét về bài viết:
Họ tên:    Email:
Nội dung:
  • DTTD