Bộ nhớ RAM SODIMM của Apacer đạt chứng nhận CMTL

11:1512/11/2015

Dòng bộ nhớ RAM SODIMM 16GB DDR3L 1600 của Apacer đã vượt qua các quá trình thử nghiệm gắt gao để đạt được chứng nhận Kiểm nghiệm Tiên tiến (Advanced Test) của tổ chức CMTL (Computer Memory Test Labs).

Khi ngành công nghiệp điện tử toàn cầu hướng đến những thiết kế thân thiện với sinh thái, trọng lượng nhẹ và nhỏ gọn, Apacer đã vượt qua các đối thủ cạnh tranh khi đưa ra sản phẩm bộ nhớ RAM 16GB DDR3L 1600 SODIMM. Nhờ vào điện áp hoạt động cực thấp (1,35V) nhưng có hiệu năng mạnh mẽ ,dòng bộ nhớ này  vượt qua các cuộc kiểm nghiệm khả năng tương thích trên nền tảng Intel NUC, bao gồm 5i5MYBE / 5i3MYBE / 5i3RYH.

Theo giám đốc sản phẩm của Apacer - David Lin, việc giảm điện áp hoạt động trong bộ nhớ DDR3 tiêu chuẩn trong ngưỡng 1,5V đến 1,35V giúp giảm tải điện cho bộ điều khiển bộ nhớ trong khi duy trì khả năng tương thích đầy đủ về chức năng, đồng thời tiết kiệm điện được tối thiểu 15% hoặc hơn-so với bộ nhớ RAM DDR3 tiêu chuẩn tại mức tải và hiệu năng tương đương, và việc sử dụng DDR3L với điện áp thấp là xu hướng tương lai cho máy tính xách tay.

Ông cũng chỉ ra rằng máy tính xách tay qui cách nhỏ gọn, nhẹ và mỏng có nghĩa không gian linh kiện trong máy khá chật hẹp, hạn chế về mặt tản nhiệt; tuy nhiên, điện áp 1,35V cực thấp, được sử dụng trong Apacer 16GB DDR3L 1600 SODIMM, không chỉ nhanh chóng làm giảm lượng nhiệt phát ra mà còn giảm tổng năng lượng tiêu thụ, khiến bộ nhớ RAM này trở thành lựa chọn lý tưởng cho hệ thống Mini-ITX cũng như những chiếc máy tính xách tay mỏng, tiết kiệm năng lượng.

Chủ tịch CMTL John Deters phát biểu: "Sản phẩm RAM mới dung lượng cao  16 GB DDR3L 1600 SODIMM của Apacer đã vượt qua qui trình thử nghiệm tính tương thích tiên tiến, nghiêm ngặt trên hệ thống Intel NUC Gen-5. Sự kết hợp của hệ thống tiết kiệm năng lượng Intel NUC với bộ nhớ RAM Apacer 1,35V DDR3L SODIMM tối đa hóa hiệu suất năng lượng và tuổi thọ pin, mà điều này ngày càng trở nên quan trọng hơn cho các hệ thống chú trọng vào hiệu năng điện, trong thời đại mà những cải tiến lớn trong sản xuất và chất lượng bộ nhớ DRAM đă cho phép vận hành ở xung nhịp cao với điện áp thấp."

Nhật My





Gửi nhận xét về bài viết:
Họ tên:    Email:
Nội dung:
  • DTTD