Toshiba Memory phát triển chip nhớ flash BiCS 96 lớp

12:4923/07/2018

(ĐTTD)Đòng chip nhớ flash BiCS 96 lớp ứng dụng công nghệ 3D QLC có khả năng lưu trữ nhiều hơn và vẫn đảm bảo tốc độ truy xuất dữ liệu nhanh hiện đã được Toshiba Memory nghiên cứu thành công.

Mới đây, công ty Toshiba Memory cho biết họ đã phát triển thành công dòng ổ cứng sử dụng chip nhớ flash BiCS 96 lớp ứng dụng công nghệ 3D QLC (4-bit/chip). Nếu như công nghệ 3D QLC góp phần giúp cho khả năng lưu trữ trên mỗi chip nhiều hơn đến 33% so với mỗi chip nhớ được sản xuất với công nghệ 3D TLC. Thì công nghệ BiCS 96 lớp sẽ giúp cho các nhà sản xuất có thể đóng gòi được nhiều chip nhớ hơn, qua đó mang đến mức dung lượng lưu trữ của các ổ cứng SSD thế hệ mới được nâng cao đáng kể.

Theo Toshiba Memory, mỗi chip nhớ được sản xuất trên công nghệ 3D QLC NAND sẽ có mức dung lượng lưu trữ lên đến 1,33Tb. Các chip nhớ này khi được sử dụng vào sản xuất và kết hợp cùng công nghệ đóng gói BiCS 96 lớp sẽ mang đến mức dung lượng lưu trữ trên mỗi gói bộ nhớ lên đến 2,66TB. Nhờ đó, các dòng ổ cứng SSD trong tương lai sẽ có mức dung lượng lưu trữ lớn hơn rất nhiều lần, nhằm đáp ứng nhu cầu lưu trữ và truy xuất dữ liệu đang ngày càng tăng cao khi mà xu hướng công nghệ IoT không ngừng phát triển.

Các sản phẩm sử dụng chip nhớ flash BiCS 96 lớp ứng dụng công nghệ 3D QLC sẽ được Toshiba Memory chính thức ra mắt ở sự kiện  2018 Flash Memory Summit sắp được diễn ra từ ngày 6 - 9/8 tại Santa Clara, California, Mỹ. Và theo dự kiến, dòng ổ cứng SSD sử dụng chip nhớ BiCS 96 lớp được phát triển trên công nghệ 3D QLC NAND sẽ được bán ra thị trường vào năm 2019. 

Hà My





Gửi nhận xét về bài viết:
Họ tên:    Email:
Nội dung:
  • DTTD