Samsung ra mắt chip DRAM HBM2 thế hệ mới

13:0020/03/2019

(ĐTTD) Chip DRAM HBM2 thế hệ hai (HBM2E) được Samsung sản xuất ứng dụng công nghệ Flashbolt mang đến tốc độ xử lý dữ liệu cực nhanh.

Dòng chip DRAM HBM2 thế hệ mới được Samsung sản xuất dành cho những hệ thống siêu máy tính, các hệ thống xử lý đồ họa cũng như các hệ thống Trí tuệ Nhân tạo AI thế hệ mới.

Ứng dụng công nghệ Flashbolt hoàn toàn mới, dòng chip DRAM HBM2E mới nhất của Samsung có tốc dộ truyền dữ liệu đạt đến 3,2 Gb/s, nhanh hơn đến 33% so với dòng chip DRAM HBM2 trước đây. Bên cạnh đó, những chip nhớ DRAM HBM2E được sản xuất trên công nghệ Flashbolt còn cho phép lưu trữ đến 16 Gb dữ liệu trên mỗi tụ riêng trong mạch tích hợp.

Nhờ đó, các sản phẩm bộ nhớ DRAM với công nghệ mới này không chỉ cho băng thông trao đổi dữ liệu đạt đến 410 GB/s cùng mức dung lượng lưu trữ lên đến 16 GB. Điều này sẽ cho phép các nhà sản xuất OEM có thể tạo ra những dòng sản phẩm không chỉ có bộ nhớ RAM cao mà còn được gia tăng hiệu năng xử lý hoạt động.

Hà Nguyễn





Gửi nhận xét về bài viết:
Họ tên:    Email:
Nội dung:
  • DTTD
  • Thuy Minh